消息称三星电子展示全球首款 5nm MRAM 研发成果，目标 2027 年量产

来自：admin 网站：元股证券在线访问更新：2026-06-18 07:54:47 阅读：198

IT之家 6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。

相较 DRAM，MRAM 的一大优势是其具备非易失性 (Non-Volatile)，无需频繁刷新，几乎可以无限期地保留信息，从而实现了能效端的优势。

三星电子的 5nm MRAM 拥有 -40~+150 ℃ 的宽广工作环境温度范围，能满足 AEC-Q100 标准要求，正朝 2027 年量产的既定目标稳步推进。

元股证券:ygzq.hk

IT之家注意到股票行业排行，三星电子今年早些时候在另一场学术会议上展示了 8nm MRAM，基于 8nm MRAM 的边缘 AI 芯片也在今年 5 月完成了流片。

　　声明：新浪网独家稿件，未经授权禁止转载。 -->

元股证券在线访问提示：本文来自互联网，不代表本网站观点。

近期A股市场在当前宽幅震荡周期里中杠杆炒股的账户管理常见误区

大盘行情指数走势

热点资讯

推荐资讯